半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管。在PN结两端接上相应的电极引线，外面用金属（或玻璃、塑料）管壳封装起来，就成为半导体二极管。常用的半导体二极管外形如图10－7所示。
图10－7 二极管外形
按内部结构，二极管可分为点接触型〔图10－8（a）〕、面接触型〔图10－8（b）〕和硅平面型〔图10－8（c）〕等类型。按所用半导体材料分类，有硅二极管和锗二极管等。除了普通二极管外，二极管还有一些特殊类型，如稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等。二极管符号如图10－8（d）所示。通常所说的二极管是指普通二极管。
图10－8 半导体二极管的结构和符号
二极管两端的电压和流过的电流之间的关系可用伏安特性的线来表示。伏安特性可通过实验测出，如图10－9所示。
图10－9 二极管的伏安特性
1.正向特性
当外加正向电压很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定值后，电流急剧上升，二极管处于正向导通，这个定值正向电压称为死区电压UT，一般硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。对理想二极管，认为UT＝0。二极管正向导通后，二极管的阻值变得很小，其压降很小，一船硅管的正向压降为0.6～0.7V，锗管的正向压降为0.2～0.3V。对理想二极管，认为正向压降为0。
2.反向特性
在二极管加反向电压时，由少数载流子漂移而形成的反向电流很小，且在一定电压范围内基本上不随反向电压的变化而变化，处于饱和状态，故这一段的电流称为反向饱和电流。对理想二极管，认为反向饱和电流为零，二极管处于反向截止状态。
3.反向击穿特性
当反向电压增加到UBR时，反向电流突然急剧增加，二极管失去单向导电性，这种现象称为击穿。产生反向击穿时加在二极管上的反向电压称为反向击穿电压UBR，反向击穿包括电击穿和热击穿，电击穿指反向电压去除后，二极管能恢复原来的性能；热击穿指反向电压去除后，二极管不能恢复原来的性能。
