曝光与显影工艺技术

    第七章　曝光与显影工艺技术

    从这一章开始我们介绍光刻技术。光刻技术主要由清洗、光刻胶涂布、坚膜、曝光、显影、湿刻（金属膜）或干刻（非金属膜）、剥离等工艺组成。图7.1所示是曝光与显影工艺示意。这一章介绍曝光与显影。

    图7.1　曝光与显影工艺示意

    曝光是精密地将掩模板上的图形转写到光刻胶上的光化学反应。过程涉及的主要对象是镀膜的基板、清洗设备、光刻胶、涂胶机、掩模板、曝光机、显影液及显影设备、坚膜设备等。在TFT阵列制作工艺中根据不同的膜一般需要多次曝光。第5代以上的TFT-LCD生产线的曝光次数已经减少到了4次，第7代生产线的曝光工艺已经减少到了3次。随着玻璃基板的增大，对曝光技术不断提出技术挑战，改进提高曝光工艺是TFT技术进步的重大课题。

    光刻胶形成图形后，根据图形对下面的膜层进行相应刻蚀，形成满足器件光电特性要求的膜层图形，因此，曝光工艺是影响膜层图形质量的重要因素。